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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本发明公开了用于以连续直拉法生长单晶硅锭的方法。在锭的主体生长之前，一批缓冲剂例如石英碎玻璃经添加到坩埚组合件的外熔体区。在一些实施例中，添加到熔体的所述一批缓冲剂的质量M与将所述一批缓冲剂添加到所述熔体和所述锭主体开始生长之间的时间的比率经控制，使得所述MT比率大于阈值MT。
主权项：1.一种用于确定用于以连续直拉法生长单晶硅锭的MT的阈值比率的方法，所述连续直拉法包括在坩埚组合件中形成硅熔体，将一批缓冲剂添加到所述熔体，其中所述批具有质量M，使所述熔体的表面与晶种接触，从所述熔体抽提单晶硅锭，所述单晶硅锭包括主体，在将所述一批缓冲剂添加到所述熔体与所述主体开始生长之间存在时间T，并在抽提所述单晶硅锭的同时将固体多晶硅原料添加到所述坩埚组合件以补充所述熔体，所述方法包括：生长多个单晶硅锭，其中所述锭中的至少两者以不同MT比率生长；测量从所述多个单晶硅锭切割的一或多个晶片中的缺陷计数；及确定从其切割具有低于阈值缺陷计数的缺陷计数的晶片的单晶硅锭的所述MT比率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 用于以连续直拉法生长单晶硅锭的方法
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