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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：本发明提供一种测定单晶硅表面金属镀层厚度的方法，包括在单晶硅表面镀不同厚度的金属薄膜，作为标准样品，用X射线荧光光谱仪测定单晶硅表面的硅元素含量；将测出的硅元素含量求导数，并与金属镀层厚度作图；对硅元素含量的导数与金属镀层的厚度进行线性拟合，得到线性公式，获得两者的线性关系；对任意镀层的单晶硅待测样品进行测试，将硅的含量代入所述线性公式即得到单晶硅表面金属镀层的厚度。该方法基于金属镀层对底层元素荧光信号的屏蔽效应，将底层元素的信号经对数处理后与金属镀层的厚度可以转化为线性关系，可以快速检测金属镀层的厚度，大大简化X射线荧光测厚的过程。
主权项：1.一种测定单晶硅表面金属镀层厚度的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1在单晶硅表面镀不同厚度的金属薄膜，作为标准样品，用X射线荧光光谱仪测定单晶硅表面的硅元素含量；S2将测出的硅元素含量求导数，并与金属镀层厚度作图；对硅元素含量的导数与金属镀层的厚度进行线性拟合，得到线性公式，获得两者的线性关系；S3对任意镀层的单晶硅待测样品进行测试，将硅的含量代入所述线性公式即得到待测样品单晶硅表面金属镀层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种测定单晶硅表面金属镀层厚度的方法
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