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申请/专利权人：苏州大学
摘要：本发明提供一种面向可见‑近红外的超薄单晶硅成像芯片的设计方法，涉及光电探测技术领域，该方法包括选用P型硅晶圆作为成像芯片的基材，并设计超薄硅条带作为成像芯片的单元器件；基于超薄硅条带，设计成像芯片的读出电路；基于成像芯片的读出电路，为了产生温差，通过改变超薄硅条带阵列的局部电学和光学性质，减小超薄硅条带对称性的影响，得到最终的成像芯片。本发明实现了快速、高效的硅基红外探测，具有缺陷少、噪声小、成本低、兼容性强和易于大面积制备的优点。
主权项：1.一种面向可见-近红外的超薄单晶硅成像芯片的设计方法，其特征在于，包括：选用P型硅晶圆作为成像芯片的基材，并设计超薄硅条带作为成像芯片的单元器件；基于超薄硅条带阵列，设计成像芯片的读出电路；基于成像芯片的读出电路，为了产生温差，通过改变超薄硅条带阵列的局部电学和光学性质，减小超薄硅条带对称性的影响，得到最终的成像芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州大学 一种面向可见-近红外的超薄单晶硅成像芯片的设计方法
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