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申请/专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
摘要：本申请涉及一种栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质，该方法通过在版图的标准单元区域中确定至少一个目标区域；在目标区域中，得到第一辅助图形和第二辅助图形；基于第一辅助图形和第二辅助图形分别生成第一金属线和第二金属线；从目标区域的栅极多晶硅中定义第一目标栅极多晶硅和第二目标栅极多晶硅；在第一金属线与第一目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔，在第二金属线与第二目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔；第一金属线第二金属线分别通过栅极通孔连接第一目标栅极多晶硅第二目标栅极多晶硅，得到栅极多晶硅短接测试结构，解决了测试结构生成效率和良率低的问题，实现测试结果自动生成，提高效率和精度。
主权项：1.一种栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，所述方法包括：获取版图，在所述版图的标准单元区域中确定测试区域，并将所述测试区域划分成至少一个目标区域；在所述目标区域中，基于在不同掺杂有源区的电源线区域设置辅助线，对所述辅助线进行移动延伸处理，得到第一辅助图形和第二辅助图形；基于所述第一辅助图形和所述第二辅助图形分别生成第一金属线和第二金属线；从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅后，将位于第一位置的有效栅极多晶硅作为第一目标栅极多晶硅，将位于第二位置的有效栅极多晶硅作为第二目标栅极多晶硅；在所述第一金属线与所述第一目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔，在所述第二金属线与所述第二目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔；所述第一金属线通过所述栅极通孔连接所述第一目标栅极多晶硅，所述第二金属线通过所述栅极通孔连接所述第二目标栅极多晶硅，完成所述栅极多晶硅短接测试结构的生成。
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权利要求：
百度查询： 杭州广立微电子股份有限公司 栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质
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