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申请/专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
摘要：本申请涉及一种栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质，其中，该方法通过获取版图，在版图的标准单元区域中确定至少两个目标区域；获取目标区域中的栅极多晶硅，通过设置辅助图形，将目标区域中的栅极多晶硅进行覆盖串联，并将至少两个目标区域中的辅助图形并联；基于目标区域中的栅极切断层和连接栅极多晶硅的金属互连线，筛选栅极多晶硅得到目标栅极多晶硅；基于辅助图形和目标栅极多晶硅生成金属结构；金属结构通过栅极通孔连接栅极多晶硅，解决了相关技术中存在手动搭建栅极多晶硅测试结构效率低，质量差的问题，实现了通过获取到的版图信息使用脚本快速生成测试结构，提高了测试结构生成的效率和准确性。
主权项：1.一种栅极多晶硅断路测试结构的生成方法，其特征在于，所述方法包括：获取版图，在所述版图的标准单元区域中确定测试区域，并将所述测试区域分成至少两个目标区域；获取所述目标区域中的栅极多晶硅，通过设置辅助图形，将所述目标区域中的所述栅极多晶硅进行覆盖串联，并将所述至少两个目标区域中的辅助图形并联；基于所述目标区域中的栅极切断层和连接栅极多晶硅的金属互连线，筛选所述栅极多晶硅得到目标栅极多晶硅；在所述目标栅极多晶硅的端部确定栅极通孔的位置，并生成所述栅极通孔；基于所述辅助图形和目标栅极多晶硅确定金属层图形，基于所述金属层图形生成金属结构；所述金属结构通过所述栅极通孔连接所述目标栅极多晶硅，完成所述栅极多晶硅断路测试结构的生成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州广立微电子股份有限公司 栅极多晶硅断路测试结构及生成方法、装置、设备和介质
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