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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件。该碳化硅外延片的制备方法中，在生长第二掺杂类型外延层之前，通入刻蚀气体，可以有效弱化由第一掺杂类型外延层和外延腔室引起的背景记忆效应，并且还在第一掺杂类型外延层的表面上生长高浓度的第二掺杂类型界面层以阻挡下方的掺杂元素向上扩散，使得不同掺杂类型的外延层之间的界面更清晰。因此，本发明提供的碳化硅外延片的制备方法，可允许在同一外延腔室内依次生长不同掺杂类型的外延层，并且所生长的不同掺杂类型的外延层之间的界面清晰，有利于降低成本，提高生产效率。
主权项：1.一种碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并在所述衬底上依次生长第一掺杂类型外延层和第二掺杂类型外延层，所述第一掺杂类型外延层为N型外延层，所述第二掺杂类型外延层为P型外延层；其中，生长所述第二掺杂类型外延层的方法包括：通入含氯的刻蚀气体，以刻蚀所述第一掺杂类型外延层的表面且在所述第一掺杂类型外延层的表面上形成氯化物薄膜，所述氯化物薄膜用于抑制所述氯化物薄膜下方的掺杂元素的扩散；通入第二掺杂类型的掺杂源，以在所述第一掺杂类型外延层上形成具有第一浓度的第二掺杂类型界面层，所述第二掺杂类型的掺杂源为P型掺杂的掺杂源，所述第二掺杂类型界面层为富铝的P型界面层，所述第二掺杂类型界面层用于抑制所述第一掺杂类型外延层的掺杂元素的扩散；以及，在所述第二掺杂类型界面层上外延生长掺杂浓度低于所述第一浓度的至少一层第二掺杂类型碳化硅层。
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百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件
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