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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种蓝光Micro‑LED的外延片及其制备方法，外延片中多量子阱发光层包括依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱层，第二浅蓝光多量子阱层，第三蓝光多量子阱层和第四浅蓝光多量子阱层；第一浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第一InGaN多量子阱层与第一多量子阱复合垒层的超晶格结构；第二浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第二InGaN多量子阱层与第二多量子阱复合垒层的超晶格结构；第三蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第三InGaN多量子阱层与Si掺GaN多量子垒层的超晶格结构；第四浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第四InGaN多量子阱层与的超晶格结构。实施本发明，可提高Micro‑LED在低工作电流密度下的光效、良率。
主权项：1.一种蓝光Micro-LED的外延片，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力释放层，多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱层，第二浅蓝光多量子阱层，第三蓝光多量子阱层和第四浅蓝光多量子阱层；其中，所述第一浅蓝光多量子阱层为由下至上依次周期性交替生长的第一InGaN多量子阱层与第一多量子阱复合垒层的超晶格结构，周期数为2~6；所述第二浅蓝光多量子阱层为由下至上依次周期性交替生长的第二InGaN多量子阱层与第二多量子阱复合垒层的超晶格结构，周期数为1~5；所述第三蓝光多量子阱层为由下至上依次周期性交替生长的第三InGaN多量子阱层与Si掺GaN多量子垒层的超晶格结构；周期数为2~8；所述第四浅蓝光多量子阱层为由下至上依次周期性交替生长的第四InGaN多量子阱层与GaN多量子垒层的超晶格结构，周期数为1~5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种蓝光Micro-LED的外延片及其制备方法
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