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一种Micro-LED的外延结构及其制备方法 

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申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司

摘要:本发明涉及半导体材料的技术领域,公开了一种Micro‑LED的外延结构及其制备方法,所述外延结构包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层,未掺杂的GaN层,N型掺杂GaN层,插入层,多量子阱层,电子阻挡层,P型掺杂GaN层和接触层;其中,所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。在N型掺杂GaN层和多量子阱层之间设置插入层,可以降低生长多量子阱层时的应力,并降低多量子阱层的位错密度,提高多量子阱层的晶体质量,从而提高Micro‑LED的内量子效率,降低工作电压,提升发光亮度。

主权项:1.一种Micro-LED的外延结构,其特征在于,包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层,未掺杂的GaN层,N型掺杂GaN层,插入层,多量子阱层,电子阻挡层,P型掺杂GaN层和接触层;其中,所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层,图形化的GaSb层,Al金属层和InGaN层。

全文数据:

权利要求:

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