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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种Micro‑LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层，插入层，多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层和接触层；其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。在N型掺杂GaN层和多量子阱层之间设置插入层，可以降低生长多量子阱层时的应力，并降低多量子阱层的位错密度，提高多量子阱层的晶体质量，从而提高Micro‑LED的内量子效率，降低工作电压，提升发光亮度。
主权项：1.一种Micro-LED的外延结构，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层，插入层，多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层和接触层；其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层，图形化的GaSb层，Al金属层和InGaN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种Micro-LED的外延结构及其制备方法
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