龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：加利福尼亚大学董事会
摘要：一种用于以外延横向过生长获得epi层的平滑表面的方法。该方法不使用错切的取向，也不抑制椎体形小丘的出现，而是将椎体形小丘嵌入epi层中。生长限制掩模用于限制椎体形小丘在横向方向上的扩展。由于椎体形小丘的消失，epi层的表面变得极为平滑。
主权项：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：制造包括多个III族氮化物半导体层的器件，其中：使用外延横向过生长，在基板上或上方，并且在生长限制掩模的顶上，从所述生长限制掩模中的开口区域生长所述多个III族氮化物半导体层中的至少一个，所述多个III族氮化物半导体层中的至少一个包含嵌入其中的至少一个椎体形小丘，在多个III族氮化物半导体层中的至少一个的外延横向过生长期间，在所述生长限制掩模的所述开口区域内形成所述椎体形小丘，所述外延横向过生长进行直到所述多个III族氮化物半导体层中的至少一个完全嵌入所述椎体形小丘以产生平滑的外延层表面，在所述外延横向过生长期间，来自相邻开口区域的多个III族氮化物半导体层中的至少一个不聚结在所述生长限制掩模的顶上，所述多个III族氮化物半导体层中的至少一个在其边缘处具有一个或多个平坦表面区域和层弯曲区域，并且在所述平坦表面区域上或上方生长一个或多个III族氮化物半导体器件层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 加利福尼亚大学董事会 通过外延横向过生长获得平滑表面的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号