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通过外延横向过生长获得平滑表面的方法 

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申请/专利权人:加利福尼亚大学董事会

摘要:一种用于以外延横向过生长获得epi层的平滑表面的方法。该方法不使用错切的取向,也不抑制椎体形小丘的出现,而是将椎体形小丘嵌入epi层中。生长限制掩模用于限制椎体形小丘在横向方向上的扩展。由于椎体形小丘的消失,epi层的表面变得极为平滑。

主权项:1.一种用于制造半导体器件的方法,包括:制造包括多个III族氮化物半导体层的器件,其中:使用外延横向过生长,在基板上或上方,并且在生长限制掩模的顶上,从所述生长限制掩模中的开口区域生长所述多个III族氮化物半导体层中的至少一个,所述多个III族氮化物半导体层中的至少一个包含嵌入其中的至少一个椎体形小丘,在多个III族氮化物半导体层中的至少一个的外延横向过生长期间,在所述生长限制掩模的所述开口区域内形成所述椎体形小丘,所述外延横向过生长进行直到所述多个III族氮化物半导体层中的至少一个完全嵌入所述椎体形小丘以产生平滑的外延层表面,在所述外延横向过生长期间,来自相邻开口区域的多个III族氮化物半导体层中的至少一个不聚结在所述生长限制掩模的顶上,所述多个III族氮化物半导体层中的至少一个在其边缘处具有一个或多个平坦表面区域和层弯曲区域,并且在所述平坦表面区域上或上方生长一个或多个III族氮化物半导体器件层。

全文数据:

权利要求:

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