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申请/专利权人:华为技术有限公司
摘要:本申请实施例公开了一种超导芯片,其可以应用于量子计算领域。该超导芯片可以包括基底、位于基底上表面的第一结构和第二结构。第一结构包括第一超导金属层和与第一超导金属层交叠的第一覆盖层,第一覆盖层包括第二超导金属层和位于第一超导金属层和第二超导金属层之间的第一绝缘层。第二结构包括第三超导金属层和与第三超导金属层交叠的第二覆盖层,第二覆盖层包括第四超导金属层和位于第三超导金属层和第四超导金属层之间的第二绝缘层。第二结构还包括第五超导金属层,其同时覆盖第三超导金属层上表面未被覆盖区和第四超导金属层上表面的全部或部分区域。第一超导金属层与第三超导金属层相连,或者,第二超导金属层与第四超导金属层相连。
主权项:1.一种超导芯片,其特征在于,包括:基底、位于所述基底上表面的第一结构和第二结构;所述第一结构包括位于所述基底上表面的第一超导金属层和与所述第一超导金属层在第一区域交叠的第一覆盖层,所述第一区域为所述第一超导金属层上表面的部分区域,所述第一覆盖层包括第二超导金属层和位于所述第一超导金属层和所述第二超导金属层之间的第一绝缘层,所述第一超导金属层和所述第一覆盖层在所述第一区域形成目标结;所述第二结构包括位于所述基底上表面的第三超导金属层和与所述第三超导金属层在第二区域交叠的第二覆盖层,所述第二区域为所述第三超导金属层上表面的部分区域,所述第二覆盖层包括第四超导金属层和位于所述第三超导金属层和所述第四超导金属层之间的第二绝缘层,所述第三超导金属层和所述第二覆盖层在所述第二区域形成寄生结,所述目标结和所述寄生结均为约瑟夫森结;所述第二结构还包括第五超导金属层,所述第五超导金属层同时覆盖所述第三超导金属层上表面第三区域中的全部或部分区域和所述第四超导金属层上表面的全部或部分区域,所述第三区域为所述第三超导金属层上表面在所述第二区域以外的区域;所述第一超导金属层与所述第三超导金属层相连,所述第三区域沿第一方向的最小尺寸和沿第二方向的最小尺寸均大于所述第一超导金属层沿所述第二方向的最大尺寸;或者,所述第二超导金属层与所述第四超导金属层相连,所述第三区域沿所述第一方向的最小尺寸和沿所述第二方向的最小尺寸均大于所述第二超导金属层沿所述第一方向的最大尺寸。
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