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申请/专利权人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉，解决了相关技术中隧穿氧化层的制备时间长、制备温度高的问题。本公开提供的隧穿氧化层的制备方法包括反应炉利用臭氧和氧气在第一温度范围内制备隧穿氧化层。由于臭氧的氧化性强，可以在较低温度和较短时间内氧化形成隧穿氧化层，因此，利用臭氧和氧气的混合气体制备隧穿氧化层，相对于利用氧气制备隧穿氧化层，降低了隧穿氧化层的制备温度，缩短了隧穿氧化层的制备时间。
主权项：1.一种隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，应用于反应炉，所述反应炉具有反应腔；其中，所述隧穿氧化层的制备方法包括：在所述反应腔内放置硅基底的情况下，将所述反应腔加热至第一温度范围；向所述反应腔内通入氧气和臭氧形成的混合气体，以使所述硅基底的表面形成隧穿氧化层。
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百度查询： 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉
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