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申请/专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
摘要：本发明提出的一种改善倒装芯片可靠性的钝化膜以及方法，在致密度较高的第一介质层上沉积一层致密度较低的第二介质层，其中在芯片的台阶位置区域保留完整的致密度较高的第一介质层，而其他区域的第一介质层则制作成微粗化结构；本发明通过沉积两种不同致密度的介质层，且选择性对致密度较高的第一介质层进行微粗化而制得的钝化膜，改善了钝化层介质膜的附着力，降低了钝化膜的应力，避免了因应力大而导致的微裂纹、微缺陷、膜层脱附等问题，解决了台阶位置的电迁移的问题，从而提高了芯片的可靠性。
主权项：1.一种改善倒装芯片可靠性的钝化膜，其特征在于，所述倒装芯片包括绝缘层以及开设在所述绝缘层上的导通金属孔；所述导通金属孔为上宽下窄的通孔；所述绝缘层上和通孔的底部和侧壁上沉积有上金属薄膜；所述钝化膜沉积在所述金属薄膜上；所述钝化膜包括第一区域和第二区域，所述第一区域为所述钝化膜沉积在所述导通金属孔的壁上的部分，其余部分为所述第二区域；所述第一区域和第二区域均包括第一介质层以及沉积在所述第一介质层上的第二介质层；所述第一介质层的致密度大于所述第二介质层的致密度；所述第二区域的第一介质层面向所述第二介质层的一面成型有微粗化结构，且所述第一区域的第一介质层不粗化；所述微粗化结构的粗糙度为50-300nm。
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权利要求：
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