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申请/专利权人：绵阳炘皓新能源科技有限公司
摘要：本发明涉及光伏技术领域，公开一种TOPCon电池及其正面钝化工艺方法，包括如下步骤：在硅片正面依次镀制Si‑H键层、SiNx薄膜层、SiOxNy薄膜层；所述Si‑H键层的镀制工艺步骤如下：在430~530℃，采用射频放电的方式激发特殊气体一产生等离子体沉积在硅片正表面，射频放电的功率为13000~15000W，压强为900~1100mtorr，时间为60~90s；特殊气体一为：氨气5000~8000sccm、一氧化二氮5000~8000sccm。本发明在硅片正面引入氢离子（H+），进而制备稳定的Si‑H键层，可以有效地减少表面复合中心，降低表面复合速度，提高太阳能电池的光电转化效率，为后续的SiNx或SiOxNy膜层沉积提供了更为平整、干净的表面，不仅使SiNx或SiOxNy膜层更易沉积，还提高了其致密性和均匀性，能够更好地与硅片结合，形成更稳定的结构，进一步提高了钝化效果。
主权项：1.一种TOPCon电池的正面钝化工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅片正面依次镀制Si-H键层、SiNx薄膜层、SiOxNy薄膜层；所述Si-H键层的镀制工艺步骤如下：在温度430~530℃，采用射频放电的方式激发特殊气体一产生等离子体沉积在硅片正表面，射频放电的功率为13000~15000W，压强为900~1100mtorr，时间为60~90s；特殊气体一为：氨气5000~8000sccm、一氧化二氮5000~8000sccm。
全文数据：
权利要求：
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