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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种电容器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二导电膜；去除第一区上的第二导电膜并暴露出第一区上的电介质层，在第二区上的电介质层表面形成第二导电层；在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第一介质层；在所述第一区上的第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞和第一导电层表面接触。所述方法形成的电容器件的可靠性较高。
主权项：1.一种电容器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二导电膜；去除第一区上的第二导电膜并暴露出第一区上的电介质层，在第二区上的电介质层表面形成第二导电层；在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第一介质层；在所述第一区上的第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞和第一导电层表面接触；形成所述第二导电层之后，形成第一介质层之前，在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第三介质层；所述第一介质层位于所述第三介质层表面；所述电介质层的材料为高K介电材料，所述第三介质层的材料包括致密氧化硅；在第二导电层内形成第一开口，所述第一开口暴露出第二区上的电介质层；所述第一开口在去除第一区上的第二导电膜并形成第二导电层时形成；所述第三介质层还覆盖所述第一开口的底部和侧壁表面。
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