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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及一种提高光效的片下倒梯形微反射镜Micro‑LED阵列器件及其制备方法，阵列器件由多个片下倒梯形微反射镜Micro‑LED器件组成，每个Micro‑LED器件包括p型掺杂层、多量子阱层、n型掺杂倒梯形结构、反射电极、n型金属电极衬底、透明导电层、介电层及顶部p电极。本发明得益于片下倒梯形结合表面反射镜结构，能够对光路进行有效改变，实现顶部Micro‑LED光提取效率的提高。相比于倾斜侧壁提高光提取效率的方法，本发明不会使多量子阱层的暴露面积增加，侧壁缺陷能够得到抑制，降低侧壁处电荷耦合效应，从而削弱侧壁处量子限制斯塔克效应，减少空穴向侧壁汇聚，进而降低非辐射复合，使发光性能得到提高。
主权项：1.一种提高光效的片下倒梯形微反射镜Micro-LED阵列器件，其特征在于，其是由多个分立的片下倒梯形微反射镜Micro-LED器件8组成的阵列器件；每个所述片下倒梯形微反射镜Micro-LED器件8包括：n型金属电极衬底4，所述n型金属电极衬底4上形成有倒梯形凹槽阵列化图案；反射电极3，其位于所述n型金属电极衬底4的上侧；还包括：在所述反射电极3上且远离所述n型金属电极衬底4的一侧顺次设置的：n型掺杂倒梯形结构132、多量子阱层12、p型掺杂层11、透明导电层5；所述n型掺杂倒梯形结构132、所述多量子阱层12和所述p型掺杂层11组成单个片下倒梯形Micro-LED外延台面16；介电层6，其位于两个相邻的所述单个片下倒梯形Micro-LED外延台面16之间，且与所述反射电极3相接触；顶部p电极7，其位于所述透明导电层5和所述介电层6之上；所述n型掺杂倒梯形结构132和所述反射电极3形成片下倒梯形微反射镜结构，所述n型掺杂倒梯形结构132的空气和氮化物界面光滑平整。
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权利要求：
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