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申请/专利权人：上海超致半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种超结开关器件。该超结开关器件包括：衬底；设置于衬底一侧的第一体区；设置于衬底和第一体区之间的第一掺杂型柱和第二掺杂型柱；第一体区的掺杂类型与第一掺杂型柱的掺杂类型相同；第一体区与第二掺杂型柱邻接，第一体区与第一掺杂型柱不邻接；栅极；栅绝缘层；源区；辅助沟道区，邻接于第一掺杂型柱和第一体区之间；辅助沟道区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度；第一体区、辅助沟道区、第一掺杂型柱、栅绝缘层和栅极构成寄生金属氧化物半导体场效应晶体管；辅助沟道区的掺杂浓度用于调节寄生金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压的绝对值。本发明实施例的技术方案有效改善了体二极管反向恢复特性，且不影响器件的反向阻断特性。
主权项：1.一种超结开关器件，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底一侧的第一体区；设置于所述衬底和所述第一体区之间的第一掺杂型柱和第二掺杂型柱；所述第一体区的掺杂类型与所述第一掺杂型柱的掺杂类型相同；所述第一体区与所述第二掺杂型柱邻接，所述第一体区与所述第一掺杂型柱不邻接；栅极，设置于所述第一掺杂型柱远离所述衬底的一侧；栅绝缘层，沿第二方向，设置于所述栅极和所述第一掺杂型柱之间，以及沿第一方向，设置于所述第一体区和所述栅极之间；所述第二方向为所述开关器件的厚度方向，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述栅极在所述衬底的正投影与所述第一掺杂型柱在所述衬底的正投影至少部分交叠；源区，设置于所述第一体区远离所述衬底的一侧；辅助沟道区，邻接于所述第一掺杂型柱和所述第一体区之间；所述辅助沟道区的掺杂类型与所述源区的掺杂类型相同；所述辅助沟道区的掺杂浓度低于所述源区的掺杂浓度；所述第一体区、所述辅助沟道区、所述第一掺杂型柱、所述栅绝缘层和所述栅极构成寄生金属氧化物半导体场效应晶体管；所述辅助沟道区的掺杂浓度用于调节所述寄生金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压的绝对值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海超致半导体科技有限公司 一种超结开关器件
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