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申请/专利权人:华为技术有限公司
摘要:本申请实施例公开一种薄膜晶体管、存储器及电子设备,涉及半导体技术领域。该薄膜晶体管包括第一极、栅极、栅介质层、沟道层和第二极。栅极包括栅基底及栅极柱。栅基底位于第一极上,栅极柱位于栅基底和第一极之间。栅介质层位于第一极和栅极柱之间。沟道层至少部分位于第一极和栅基底之间。第二极位于第一极和栅基底之间,且位于沟道层远离栅极柱的一侧。第二极和第一极均与沟道层相接触。沟道层具有第一表面和第二表面,第一表面与第一极、第二极相接触,第二表面与栅介质层相接触。沿第一表面指向第二表面的方向,沟道层的导电率逐渐降低。通过设置沟道层的导电率,可以减小接触电阻,增大薄膜晶体管的开态电流,提高存储器的读写速度。
主权项:1.一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:第一极;栅极,包括栅基底及与所述栅基底相接触的栅极柱;所述栅基底位于所述第一极上,所述栅极柱位于所述栅基底和所述第一极之间;栅介质层,位于所述第一极和所述栅极柱之间,且与所述栅极柱的侧面相接触;沟道层,至少部分位于所述第一极和所述栅基底之间,且位于所述栅介质层远离所述栅极柱的一侧;第二极,位于所述第一极和所述栅基底之间,且位于所述沟道层远离所述栅极柱的一侧;所述第二极和所述第一极均与所述沟道层相接触;其中,所述沟道层具有第一表面和第二表面,所述第一表面与所述第一极、所述第二极相接触,所述第二表面与所述栅介质层相接触;沿所述第一表面指向所述第二表面的方向,所述沟道层的导电率逐渐降低。
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