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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请实施例公开一种薄膜晶体管、存储器及电子设备，涉及半导体技术领域。该薄膜晶体管包括第一极、栅极、栅介质层、沟道层和第二极。栅极包括栅基底及栅极柱。栅基底位于第一极上，栅极柱位于栅基底和第一极之间。栅介质层位于第一极和栅极柱之间。沟道层至少部分位于第一极和栅基底之间。第二极位于第一极和栅基底之间，且位于沟道层远离栅极柱的一侧。第二极和第一极均与沟道层相接触。沟道层具有第一表面和第二表面，第一表面与第一极、第二极相接触，第二表面与栅介质层相接触。沿第一表面指向第二表面的方向，沟道层的导电率逐渐降低。通过设置沟道层的导电率，可以减小接触电阻，增大薄膜晶体管的开态电流，提高存储器的读写速度。
主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：第一极；栅极，包括栅基底及与所述栅基底相接触的栅极柱；所述栅基底位于所述第一极上，所述栅极柱位于所述栅基底和所述第一极之间；栅介质层，位于所述第一极和所述栅极柱之间，且与所述栅极柱的侧面相接触；沟道层，至少部分位于所述第一极和所述栅基底之间，且位于所述栅介质层远离所述栅极柱的一侧；第二极，位于所述第一极和所述栅基底之间，且位于所述沟道层远离所述栅极柱的一侧；所述第二极和所述第一极均与所述沟道层相接触；其中，所述沟道层具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第一极、所述第二极相接触，所述第二表面与所述栅介质层相接触；沿所述第一表面指向所述第二表面的方向，所述沟道层的导电率逐渐降低。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 薄膜晶体管、存储器及电子设备
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