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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及包括传输晶体管的存储器装置。一种存储器装置包括：有源区，该有源区具有漏极；多个存储器块，其在第一方向上布置；以及多个传输晶体管，其形成在有源区中并共享漏极，多个传输晶体管中的每一个传输晶体管被配置为响应于块选择信号而从漏极向多个存储器块中的相应存储器块传送操作电压。多个传输晶体管被划分为第一传输晶体管和第二传输晶体管。第一传输晶体管的沟道长度方向和第二传输晶体管的沟道长度方向可以彼此不同。
主权项：1.一种存储器装置，该存储器装置包括：有源区，该有源区具有漏极；四个存储器块，所述四个存储器块沿第一方向布置；以及四个传输晶体管，所述四个传输晶体管形成在所述有源区中并共享所述漏极，所述四个传输晶体管中的每一个传输晶体管被配置为响应于块选择信号而从所述漏极向所述四个存储器块中的相应存储器块传送操作电压，其中，所述四个传输晶体管包括两个第一传输晶体管和两个第二传输晶体管，并且所述两个第一传输晶体管的沟道长度方向和所述两个第二传输晶体管的沟道长度方向彼此不同，其中，所述两个第一传输晶体管的沟道长度方向是所述第一方向，并且所述两个第二传输晶体管的沟道长度方向是与所述第一方向相交的第二方向，并且其中，所述四个存储器块设置在所述两个第一传输晶体管之间的在所述第一方向上测量到的最大距离内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括传输晶体管的存储器装置
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