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申请/专利权人:三星电子株式会社
摘要:本公开提供了集成电路装置及其形成方法。集成电路装置可以包括:在衬底上的上晶体管结构,该上晶体管结构包括上沟道区和在上沟道区上的上栅电极;在衬底和上晶体管结构之间的下晶体管结构,下晶体管结构包括下沟道区和在下沟道区上的下栅电极;以及在下栅电极与上栅电极之间的栅极间接触。下栅电极可以通过栅极间接触电连接到上栅电极,并且栅极间接触的下表面的部分可以突出超过下栅电极的侧表面。
主权项:1.一种集成电路装置,包括:在衬底上的上晶体管结构,所述上晶体管结构包括上沟道区和在所述上沟道区上的上栅电极;在所述衬底和所述上晶体管结构之间的下晶体管结构,所述下晶体管结构包括下沟道区和在所述下沟道区上的下栅电极;以及在所述下栅电极与所述上栅电极之间的栅极间接触,其中所述下栅电极通过所述栅极间接触电连接到所述上栅电极,所述栅极间接触的下表面的部分突出超过所述下栅电极的侧表面。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 三星电子株式会社 包括堆叠晶体管的集成电路装置及其形成方法
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