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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明属于光探测领域，更具体地，涉及一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器及其制备方法，所述平板光探测器包括光电导阳极基板和冷阴极基板，所述光电导阳极基板包括阳极衬底，设置在阳极衬底上的阳极电极，设置在阳极电极上的光电响应层，所述冷阴极基板包括阴极衬底，设置在阴极衬底上的双栅薄膜晶体管，设置在双栅薄膜晶体管上的冷阴极发射体，所述光电响应层和所述冷阴极发射体通过隔离体相对隔开并保持真空状态，本发明通过电子轰击诱导光电导效应的光电倍增机制和薄膜晶体管亚阈值区电流放大效应的光电倍增机制，提高光探测器的灵敏度，该真空冷阴极平板光探测器还可以实现高分辨率和宽线性动态范围光电探测。
主权项：1.一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器，其特征在于，包括光电导阳极基板和双栅薄膜晶体管驱动的冷阴极基板、隔离体5，光电导阳极基板包括阳极衬底2、阳极电极3和光电响应层4，所述阳极电极3设置在阳极衬底2表面，所述光电响应层4设置在阳极电极3上，所述冷阴极基板包括冷阴极发射体6、顶部栅极7、顶部绝缘层8、源极电极9、漏极电极10、沟道层11、底部绝缘层12、底部栅极13和冷阴极衬底14，所述底部栅极13设置在冷阴极衬底14上，所述底部绝缘层12设置在底部栅极13上，所述沟道层11设置在底部绝缘层12上，所述源极电极9和漏极电极10通过沟道层11分隔开，所述顶部绝缘层8设置在沟道层11上，所述顶部栅极7设置在顶部绝缘层8上，所述冷阴极发射体6设置在顶部栅极7上，所述光电导阳极基板和所述冷阴极基板通过隔离体5隔开，所述光电响应层4与所述冷阴极发射体6之间为真空状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器及其制备方法
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