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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及双极晶体管。一种电子器件包括双极晶体管。双极晶体管的集电极由第一和第二区域形成。第二区域位于第一区域和双极晶体管的基极之间。导电元件至少部分地围绕第二区域并与第二区域绝缘。导电元件位于第一区域和衬底之间。
主权项：1.一种制造包括双极晶体管的电子器件的方法，所述方法包括：形成所述双极晶体管的集电极以包括第一区域和第二区域；形成双极晶体管的基极；其中所述第二区域被定位在所述第一区域与所述基极之间；以及制造与所述第二区域绝缘并且至少部分地围绕所述第二区域的导电元件；其中所述导电元件位于所述第一区域与所述基极之间。
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