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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
主权项：1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和在该凹陷特征底部的暴露在该凹陷特征中的第二层；在所述衬底上沉积金属层之前，用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂相对于在该第一层上的金属沉积选择性增大在该第二层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中相对于沉积在所凹陷特征周围的场区域上，该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的该第二层上；移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的该第二层上选择性地形成该金属层；以及重复该预处理、沉积和移除至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 用低电阻率金属填充半导体器件中的凹陷特征的方法
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