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一种主控芯片的切片工艺 

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申请/专利权人:广东全芯半导体有限公司

摘要:本发明公开了一种主控芯片的切片工艺,包括S1准备硅晶圆、S2覆膜、S3固定、S4切割、S5清洗、S6研磨抛光、S7激光表面扫描采集信息、S8数据分析进行质检、S9后续封装操作;本发明中使用到切片质量控制系统,该系统包括数据采集单元、数据清洗处理单元、质检分析模块、模型分析模块、人机交互单元及切片参数调节单元,所述质检分析模块用于对芯片的尺寸、表面粗糙度、损伤和裂缝进行判断;所述模型分析模块通过学习模型对芯片表面的损伤进行分析判断原因,并提供对应的解决措施;通过利用激光表面扫描技术采集数据,再以质检分析模块对芯片的尺寸、粗糙度、损伤及裂缝进行多方面的自动质检,解决了存在的质检限制,及难发现隐含缺陷的问题。

主权项:1.一种主控芯片的切片工艺,其特征在于:包括以下步骤:S1:根据设计要求,使用已经完成了前期工艺的硅晶圆作为切片原材料,前期工艺包括清洗、光刻、曝光和显影;S2:在被覆盖上光刻胶的硅晶圆表面涂覆一层保护膜,以保护芯片表面免受切割过程中的损伤或污染;S3:将硅晶圆放置在切片机台上,并使用夹持装置将其固定在适当的位置,确保硅晶圆与切割工具的位置精确对齐,确保切割的准确性和稳定性;S4:使用高精度的切割工具对硅晶圆进行切割,切割工具的运动由切片质量控制系统控制,以确保切割线的准确性和芯片的尺寸符合设计要求;S5:对切割后的芯片进行清洗,以去除可能残留在表面的保护膜残留物和切割碎屑;S6:对切片后的芯片进行研磨和抛光处理,以使其表面更加平滑和均匀,有助于提高芯片的质量和可靠性;S7:设置固定激光的参数,通过利用激光表面扫描技术对传送带上匀速运动的芯片进行表面扫描,采集芯片表面的数据信息;S8:利用质检分析模块及模型分析模块对采集数据信息进行分析,判断芯片的尺寸、表面粗糙度、表面损伤程度及裂缝程度是否符合规定范围;S9:合格产品送至下一工艺进行封装,不合格产品根据不合格原因进行不同操作。

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权利要求:

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