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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明公开了一种用于投影光刻的掩模版及其制备方法，属于投影光刻掩模版制备技术领域；先绘制产品版图、Frame及对版标记，并计算掩模版的y轴曝光偏移量；采用激光直写光刻机编写曝光程序，并对掩模版进行曝光；最后通过显影、腐蚀、去胶并清洗得到用于投影光刻的掩模版。本发明能够制备出用于Nilkoni线投影光刻机的光掩模版，可以应用于集成电路制造中光刻工序曝光工艺所使用的光掩模版，其首次曝光视场偏移量小于0.1μm，层间套刻误差小于0.2μm。本发明制备方法理论简单易于理解，成本低廉、过程简便，具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：绘制产品版图、Frame及投影光刻机所需要的对版标记，得到绘制的掩模版；计算绘制的掩模版的y轴曝光偏移量，并采用激光直写光刻机编写曝光程序，对掩模版进行曝光；对曝光后的掩模版采用显影液及去离子水进行显影及漂洗，再采用腐蚀液及去离子水对掩模版进行腐蚀及漂洗，腐蚀完成后采用去胶液对掩模版进行去胶；使用浓硫酸、过氧化氢及离子水对去胶后的掩模版进行清洗，得到用于投影光刻的掩模版。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种用于投影光刻的掩模版及其制备方法
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