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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种套刻误差补偿方法、装置与电子设备。套刻误差补偿方法包括：获取目标晶圆的第一套刻标记在当层的第一坐标与在前层的第二坐标；根据所述第一坐标和所述第二坐标获取所述第一套刻标记对应的实测套刻误差；根据多个所述第一套刻标记的所述实测套刻误差，确定第二套刻标记的估测套刻误差，所述第二套刻标记位于多个所述第一套刻标记之间；根据多个第二套刻标记的所述估测套刻误差和多个所述第一套刻标记的所述实测套刻误差确定所述目标晶圆在下一层的套刻误差补偿值。本公开实施例可以提高晶圆制造效率。
主权项：1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，包括：获取目标晶圆的第一套刻标记在当层的第一坐标与在前层的第二坐标；根据所述第一坐标和所述第二坐标获取所述第一套刻标记对应的实测套刻误差；根据多个所述第一套刻标记的所述实测套刻误差，确定第二套刻标记的估测套刻误差，所述第二套刻标记位于多个所述第一套刻标记之间；根据多个第二套刻标记的所述估测套刻误差和多个所述第一套刻标记的所述实测套刻误差确定所述目标晶圆在下一层的套刻误差补偿值。
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