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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种掩膜版版图及半导体结构的形成方法，掩膜版版图包括：第一开口图形和第二开口图形，第一开口图形的线宽尺寸大于第二开口图形的线宽尺寸；其中，第一开口图形包括多个相邻设置的子开口图形，相邻子开口图形之间均具有间隔，子开口图形的线宽尺寸大于第二开口图形的线宽尺寸。本发明能够在一步图形化处理中形成不同开口尺寸的第一开口和第二开口，有利于节约光罩和工艺成本，且提高工艺效率。
主权项：1.一种掩膜版版图，其特征在于，包括：第一开口图形和第二开口图形，所述第一开口图形的线宽尺寸大于所述第二开口图形的线宽尺寸；其中，所述第一开口图形包括多个相邻设置的子开口图形，相邻所述子开口图形之间均具有间隔，所述子开口图形的线宽尺寸大于所述第二开口图形的线宽尺寸。
全文数据：
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版版图及半导体结构的形成方法
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