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申请/专利权人：珠海市龙图光罩科技有限公司
摘要：本申请公开了一种掩膜版的参数测量方法、装置、设备、系统及程序产品，涉及半导体加工工艺技术领域，方法包括：在掩膜版的刻蚀过程中，控制各个光发生模块发射光信号；通过检测任一光接收模块接收到的光信号的光强达到预设第一阈值时对应的时间，得到与光接收模块对应的点位达到刻蚀透状态时所经历的时长，基于各个点位达到刻蚀透状态所经历的时长和预先获取到的掩膜版的刻蚀速率对掩膜版上若干个点位被刻蚀透时的刻蚀量的离散程度进行计算，得到掩膜版的关键尺寸均匀性。本申请克服了只能适用特定设计图形的掩膜版的参数测量的局限性。
主权项：1.一种掩膜版的参数测量方法，其特征在于，所述方法应用于掩膜版的参数测量系统，所述掩膜版的参数测量系统包括光发生装置和光接收装置，所述光发生装置和所述光接收装置设置于掩膜版的相对两侧；所述掩膜版包括若干个点位；所述光发生装置包括若干个光发生模块；所述光接收装置包括若干个光接收模块，各个所述点位、各个所述光接收模块与各个所述光发生模块一一对应，所述方法包括：在所述掩膜版的刻蚀过程中，控制各个所述光发生模块发射光信号；通过检测任一所述光接收模块接收到的所述光信号的光强达到预设第一阈值时对应的时间，得到与所述光接收模块对应的点位达到刻蚀透状态时所经历的时长；基于各个所述点位达到刻蚀透状态时所经历的时长和预先获取到的掩膜版的刻蚀速率对所述掩膜版上若干个点位被刻蚀透时的刻蚀量的离散程度进行计算，得到所述掩膜版的关键尺寸均匀性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海市龙图光罩科技有限公司 掩膜版的参数测量方法、装置、设备、系统以及程序产品
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