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申请/专利权人：西安交通大学;国网安徽省电力有限公司
摘要：本发明公开了一种SiCSiCascode器件用多芯片并联结构，包括低压SiMOSFET和SiCJFET，多个低压SiMOSFET和多个SiCJFET以共栅共源的方式连接构成一个SiCSiCascode器件；多个SiCJFET的源极之间通过桥接支路连接。本发明极大的抑制多个SiCSiCascode器件并联时开关过程中电流的不均衡，进而抑制并联芯片之间的开关损耗和结温差异，避免了局部热应力集中的情况，提高了并联整体的可靠性。
主权项：1.一种SiCSiCascode器件用多芯片并联结构，其特征在于，包括低压SiMOSFET和SiCJFET，多个低压SiMOSFET和多个SiCJFET以共栅共源的方式连接构成一个SiCSiCascode器件；多个SiCJFET的源极之间通过桥接支路连接，多个SiCSiCascode器件并联连接构成功率模块的开关；低压SiMOSFET为M1，M2，……，Mn，SiCJFET为J1，J2，……，Jn；M1，M2，……，Mn的栅极g并联后连接至并联结构的G，M1，M2，……，Mn的漏极d分别连接对应J1，J2，……，Jn的功率源极m1，m2，……，mn；M1，M2，……，Mn的驱动源极k经对应的功率源极s分别与J1，J2，……，Jn的栅极g连接，驱动源极k并联连接并联结构的K，功率源极s并联连接并联结构的S，J1，J2，……，Jn的漏极d并联连接并联结构的D。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 国网安徽省电力有限公司 一种SiC/Si Cascode器件用多芯片并联结构
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