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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日：2023-04-27
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN116504888B
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32;H01L33/24;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法和应用，所述外延片包括依次层叠设置的n型半导体层、掩膜层、半导体柱、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；其中，所述半导体柱包括第一极性的柱体和设置在所述柱体周围的第二极性的包覆层；所述柱体部分嵌入所述掩膜层，并与所述n型半导体层接触；所述柱体上的量子阱层与所述包覆层上的量子阱层的发光颜色不同。本发明通过在n型半导体层一侧外延出具有不同极性的柱体和包覆层，使柱体上设置的量子阱层与包覆层上设置的量子阱层的发光颜色不同，实现双色发光，提高了器件的出光效率和混色效果。
主权项：1.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括依次层叠设置的n型半导体层、掩膜层、半导体柱、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；所述n型半导体层为氮极性n型氮化物层；其中，所述半导体柱包括第一极性的柱体和设置在所述柱体周围的第二极性的包覆层；所述第一极性为氮极性，所述第二极性为镓极性；所述柱体部分嵌入所述掩膜层，并与所述n型半导体层接触；所述柱体上的量子阱层与所述包覆层上的量子阱层的发光颜色不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种外延片及其制备方法和应用
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