申请/专利权人：韩美半导体有限公司;爱思开海力士有限公司

申请日：2020-09-30

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN112652577B

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683

优先权：["20191010 KR 10-2019-0125607"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明涉及一种用于将半导体条带切割成单个的半导体封装的半导体材料切割装置，特别是涉及一种无需单独的除焊设备而可利用超声波清洁部与单元拾取器对半导体封装的下表面及上表面两者进行清洁的半导体材料切割装置。

主权项：1.一种半导体材料切割装置，其特征在于，包括：切割部，将卡盘台的上表面所吸附支持的半导体条带切割成单个的半导体封装；单元拾取器，包括吸附垫、供压部以及第一管路，所述吸附垫在底表面配备吸附孔以真空吸附经切割的所述半导体封装的球面，所述供压部对所述吸附孔供应负压，所述第一管路传递由所述供压部供应的所述负压并与所述吸附孔连通，所述单元拾取器对所述卡盘台的上表面所吸附支持的所述半导体封装进行拾取及移送；超声波清洁部，包括水槽及超声波产生部，所述水槽储存用于供所述单元拾取器所拾取的所述半导体封装浸入的液体，所述超声波产生部向所述水槽内部产生超声波，并在将所述单元拾取器所拾取的所述半导体封装浸入到所述水槽后进行超声波清洁；吸附台，在通过所述单元拾取器传递经超声波清洁的所述半导体封装之后，吸附所述半导体封装；以及控制部，在将所述单元拾取器所拾取的所述半导体封装浸入到所述水槽时，对通过所述第一管路向所述吸附孔施加的所述负压的强度进行控制，所述控制部降低所述负压的强度以在所述单元拾取器的所述吸附垫与所述吸附垫所吸附的所述半导体封装之间形成间隙，以使储存在所述水槽中的所述液体能够通过所述单元拾取器的所述吸附垫的所述吸附孔流入，若流入到所述单元拾取器的所述第一管路内的所述液体达到已设定的量，则所述控制部提高所述负压的强度。

全文数据：

权利要求：

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