龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：三菱电机株式会社
申请日：2021-02-25
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113345959B
主分类号：H01L29/739
分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/265
优先权：["20200302 JP 2020-034631"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.09.21#实质审查的生效;2021.09.03#公开
摘要：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供一种提高半导体装置的生产率的技术。第1缓冲层包含：第1部分，其位于从主面起的半导体基板的厚度方向上，具有N型杂质浓度的第1峰值；以及第2部分，其位于从主面起的与第1部分相比更远处，具有N型杂质浓度的第2峰值。主面与第1部分之间的距离小于或等于4.0μm，第1部分与第2部分之间的距离大于或等于14.5μm。第1部分与第2部分之间的部分的N型杂质浓度高于漂移层的N型杂质浓度。
主权项：1.一种半导体装置，其具有半导体基板，该半导体基板具有背面，其中，所述半导体基板包含：N型的漂移层；N型的第1缓冲层，其在所述背面侧与所述漂移层相邻而配置，包含质子作为N型杂质；以及N型的第2缓冲层，其在所述背面侧与所述第1缓冲层相邻而配置，包含与质子不同的N型杂质，所述第1缓冲层包含：第1部分，其位于从所述背面起的所述半导体基板的厚度方向上，具有N型杂质浓度的第1峰值；以及第2部分，其位于从所述背面起的与所述第1部分相比在所述厚度方向上更远处，具有N型杂质浓度的第2峰值，所述背面与所述第1部分之间的距离小于或等于4.0μm，所述第1部分与所述第2部分之间的距离大于或等于14.5μm，所述第1部分与所述第2部分之间的部分的N型杂质浓度高于所述漂移层的N型杂质浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号