申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心;中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2024-04-30

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118116810B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开

摘要：本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制作方法，方法包括：依次形成第一导电类型外延层漂移区、外延层漂移区沟槽、第一导电类型电流扩展层、电流扩展层沟槽、第二导电类型掺杂区、掺杂区沟槽，对掺杂区沟槽进行微刻蚀形成刻蚀沟槽，刻蚀沟槽将第二导电类型掺杂区分割为位于刻蚀沟槽底部的第二导电类型电场屏蔽区和位于刻蚀沟槽两侧的第二导电类型阱区。本发明通过先进行沟槽刻蚀并依次制作第一导电类型电流扩展层、第二导电类型掺杂区并刻蚀沟槽的方式，实现沟槽底部深电场屏蔽区的制作，同时电场屏蔽区与电流扩展层自对准，实现电场屏蔽的同时保障导通状态的低电阻。

主权项：1.一种SiC沟槽MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、准备第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上形成第一导电类型外延层漂移区；S2、在第一导电类型外延层漂移区中形成外延层漂移区沟槽；外延层漂移区沟槽呈倒梯形，上部开口大，下部开口小，外延层漂移区沟槽的侧壁角度范围为30°~90°，且深度不小于0.5μm，下部开口宽度范围为0.5μm~2.5μm，上部开口的宽度不超过3μm；S3、在第一导电类型外延层漂移区上和外延层漂移区沟槽上形成第一导电类型电流扩展层，第一导电类型电流扩展层在外延层漂移区沟槽对应下凹处形成电流扩展层沟槽；S4、在第一导电类型电流扩展层上方形成第二导电类型掺杂区，第二导电类型掺杂区在电流扩展层沟槽对应下凹处形成掺杂区沟槽；S5、对掺杂区沟槽进行微刻蚀形成刻蚀沟槽，刻蚀所述第二导电类型掺杂区和部分第一导电类型电流扩展层，使第一导电类型电流扩展层暴露，且第一导电类型外延层漂移区未露出，刻蚀沟槽将第二导电类型掺杂区分割为位于刻蚀沟槽底部的第二导电类型电场屏蔽区和位于刻蚀沟槽两侧的第二导电类型阱区；S6、在第二导电类型阱区上形成第一导电类型源区；S7、在刻蚀沟槽的底部和侧壁、第一导电类型源区的侧壁及上表面形成栅介质，在栅介质上形成栅电极；S8、在栅电极上以及栅介质上形成隔离介质，使得隔离介质与栅介质包裹栅电极；S9、在隔离介质两侧形成源极欧姆；在源极欧姆之上和隔离介质之上形成源极金属；在第一导电类型衬底底部形成漏极金属。

全文数据：

权利要求：

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