申请/专利权人：无锡新洁能股份有限公司

申请日：2020-01-16

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN111223915B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2020.06.26#实质审查的生效;2020.06.02#公开

摘要：本发明涉及一种多次外延超结器件结构及其制造方法，它包括第一导电类型硅衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型柱、第一导电类型柱、第二导电类型体区、栅氧层、导电多晶硅、第一导电类型源区、绝缘介质、第二导电类型源区、源极金属与漏极金属。本发明使得多次外延超结器件的元胞宽度大幅度减小，特征导通电阻大幅度下降；其制造方法不需要较长时间的热退火，不仅节约了能源，还提高了生产效率。

主权项：1.一种多次外延超结器件结构的制造方法，包括以下步骤：步骤一.提供第一导电类型衬底（1）；步骤二.在所述第一导电类型衬底（1）上生长第一导电类型外延层（2）；步骤三.进行至少两次普遍性的第一导电类型杂质（001）的注入，每次注入第一导电类型杂质（001）的深度都不同；步骤四.淀积光刻胶（002），然后选择性刻蚀光刻胶（002）；步骤五.多次不同能量注入第二导电类型杂质（003），注入的次数与步骤三中注入第一导电类型杂质（001）的次数相同，注入第二导电类型杂质（003）的深度与步骤三中注入第一导电类型杂质（001）的深度相同，且一一对应，然后去除光刻胶（002）；步骤六.生长第一导电类型外延层（2）；步骤七.重复步骤三、步骤四和步骤五；步骤八.重复步骤六和步骤七至少一次；步骤九.生长最表面的第一导电类型外延层（2）；步骤十.进行热退火，第一导电类型杂质（001）形成第一导电类型柱（4），第二导电类型杂质（003）形成第二导电类型柱（3）；步骤十一.选择性注入第二导电类型体区杂质（004）；步骤十二.进行热退火，第二导电类型体区杂质（004）形成第二导电类型体区（5）；步骤十三.热生长形成栅氧层（6）；步骤十四.淀积导电多晶硅（7）；步骤十五.选择性刻蚀导电多晶硅（7）与栅氧层（6）；步骤十六.自对准注入第一导电类型杂质，激活后形成第一导电类型源区（8）；步骤十七.淀积绝缘介质（9）；步骤十八.选择性刻蚀绝缘介质（9）与硅外延；步骤十九.注入第二导电类型杂质，激活后形成第二导电类型源区（10）；步骤二十.在绝缘介质（9）的上表面形成源极金属（11），在第一导电类型衬底（1）的下表面形成漏极金属（12）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡新洁能股份有限公司 多次外延超结器件结构及其制造方法

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