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申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
摘要：本发明提供一种含铁电材料的混合结终端保护结构的高压器件及制备方法，该器件包括：形成有高压半导体器件的有源区；具有RESURF结构的混合结终端保护结构，RESURF结构包括与有源区电连接的第一偏置场板及位于第一偏置场板下方且与第一偏置场板接触的铁电材料层。该高压半导体器件结构可以在现有结终端保护结构的基础上进一步提高器件击穿电压BV同时有效降低其导通电阻Ron，更易于实现器件结构的小型化；另外，该器件的制备工艺中只需要在现有器件制备工艺的基础上增加常规的沉积工艺及光刻工艺即可实现，工艺步骤简单，易于实现。
主权项：1.一种含铁电材料的混合结终端保护结构的高压器件，其特征在于，所述高压半导体器件包括：形成有高压半导体器件的有源区；具有RESURF结构的混合结终端保护结构，所述RESURF结构包括与所述有源区电连接的第一偏置场板及位于所述第一偏置场板下方且与所述第一偏置场板接触的铁电材料层；所述混合结终端保护结构还包括与所述有源区电连接的第二偏置场板，所述第二偏置场板形成于所述第一偏置场板的上方并通过层间介质层隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 含铁电材料的混合结终端保护结构的高压器件及制备方法
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