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申请/专利权人：红与蓝半导体(佛山)有限公司
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299444A
主分类号：H01L31/0352
分类号：H01L31/0352;H01L31/112;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提供一种垂直JFET异质光电晶体管，包括：N型衬底，所述N型衬底上侧设置有N型外延层；N型外延层内部左右两侧分别对称设置一P型阱区，所述P型阱区的上边缘与所述N型外延层的上边缘处于同一平面；所述N型外延层上侧设置有光敏吸收层和透明电极，其中，所述透明电极设置在光敏吸收层上侧；漏极，所述源极设置于N型衬底下侧；源极，所述源极设置于透明电极上侧；栅极，所述栅极设置于P型阱区上侧。本发明还包括对应一种垂直JFET异质光电晶体管的一种垂直JFET异质光电晶体管制备方法。本发明提供的垂直JFET异质光电晶体管及其制备方法电学性能强、尺寸更小、灵敏度高、探测范围和动态响应范围更广。
主权项：1.一种垂直JFET异质光电晶体管，应用于紫外光探测器中，其特征在于，包括以下结构：N型衬底，所述N型衬底上侧设置有N型外延层；N型外延层内部左右两侧分别对称设置一P型阱区，所述P型阱区的上边缘与所述N型外延层的上边缘处于同一平面；所述N型外延层上侧设置有光敏吸收层和透明电极，其中，所述透明电极设置在光敏吸收层上侧；漏极，所述源极设置于N型衬底下侧；源极，所述源极设置于透明电极上侧；栅极，所述栅极设置于P型阱区上侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 红与蓝半导体(佛山)有限公司 一种垂直JFET异质光电晶体管及其制备方法
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