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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本实用新型提供一种薄膜晶体管和集成芯片。所述薄膜晶体管包括在衬底上方的有源层。与有源层堆叠的绝缘件。与绝缘件堆叠的栅极结构，栅极结构包括具有第一功函数的栅极材料层和第一界面层。第一界面层直接介于绝缘件和栅极材料层之间，其中栅极结构具有不同于第一功函数的第二功函数。
主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于包括：有源层，在衬底上方；绝缘件，与所述有源层堆叠；栅极结构，与所述绝缘件堆叠，其中所述栅极结构包括：栅极材料层，具有第一功函数；以及第一界面层，直接介于所述绝缘件和所述栅极材料层之间，其中所述栅极结构具有不同于所述第一功函数的第二功函数。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 薄膜晶体管和集成芯片
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