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晶体管电容测量设备、方法、装置、电子设备及存储介质 

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申请/专利权人:北京智芯微电子科技有限公司

摘要:本公开涉及集成电路测量技术领域,具体涉及晶体管电容测量设备、方法、装置、电子设备及存储介质,所述晶体管电容测量设备包括:可调偏置单元用于提供可调的偏置电压,其第一端与待测晶体管衬底连接,第二端与待测晶体管源极和漏极短接点连接;电容测量单元用于测量待测晶体管的栅与有源区交叠电容Cgc,其连接到待测晶体管栅极和可调偏置单元第二端;控制单元用于控制可调偏置单元的偏置电压在偏置电压范围内以第一预设步长扫描,以及控制电容测量单元的高压端和低压端之间的直流电压差在电压差范围内以第二预设步长扫描,以得到待测晶体管的Cgc曲线。本公开解决了电容测量时测量设备无法连续扫描的问题,显著提升了Cgc曲线测量的效率。

主权项:1.一种晶体管电容测量设备,其特征在于,包括:可调偏置单元,所述可调偏置单元的第一端用于与待测晶体管的衬底连接,所述可调偏置单元的第二端用于与所述待测晶体管的源极和漏极的短接点连接,所述可调偏置单元用于在所述待测晶体管的衬底与所述短接点之间提供可调的偏置电压;电容测量单元,所述电容测量单元连接到所述待测晶体管的栅极和所述可调偏置单元的第二端,用于测量所述待测晶体管的栅与有源区交叠电容Cgc;控制单元,所述控制单元连接到所述可调偏置单元和所述电容测量单元,用于控制所述可调偏置单元的偏置电压在偏置电压范围内以第一预设步长扫描,以及控制所述电容测量单元的高压端和低压端之间的直流电压差在电压差范围内以第二预设步长扫描,以得到所述待测晶体管的Cgc曲线。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京智芯微电子科技有限公司 晶体管电容测量设备、方法、装置、电子设备及存储介质

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