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申请/专利权人：浙江旺荣半导体有限公司

摘要：本发明涉及绝缘栅双极晶体管技术领域，具体涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管，包括第一半导体层、第二半导体层、电荷蓄积层、栅极、发射层、发射极、场截止层、集电层、集电极、第一势垒层、第二势垒层、第一阴极层和第二阴极层；第二势垒层与第一势垒层的相邻侧之间留有第二预设间距，以形成电子流动通道；第二阴极层与第一阴极层的相邻侧之间留有第三预设间距，且第三预设间距大于第二预设间距；在电子竖向移动过程中，增加了横渡的过程，延长了电子移动路径，进而增加电阻，产生电压降低，可以轻松调制电导率，进而能够改善电压折回现象。通过抑制因电压折回现象引起的饱和电压升高现象，有效地解决逆导型绝缘栅双极晶体管特性被削弱问题。

主权项：1.一种逆导型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：第一半导体层；所述第一半导体层所涂覆的掺杂物为n型掺杂物；第二半导体层，形成于所述第一半导体层的顶面上方；所述第二半导体层所涂覆的掺杂物为p型掺杂物；电荷蓄积层，形成于所述第一半导体层的顶面与所述第二半导体层的底面之间；所述电荷蓄积层所涂覆的掺杂物为n型掺杂物；栅极，包括沿所述第一半导体层的体长方向依次分布的第一沟槽部、第二沟槽部和第三沟槽部；所述第一沟槽部的上部延伸至所述第二半导体层内，下部延伸至所述第一半导体层内；所述第二沟槽部的上部延伸至所述第二半导体层内，下部延伸至所述第一半导体层内；所述第二沟槽部与所述第一沟槽部的相邻侧平行设置，之间留有第一预设间距；所述第三沟槽部的上部延伸至所述第二半导体层内，下部延伸至所述第一半导体层内；所述第三沟槽部与所述第二沟槽部的相邻侧平行设置，之间也留有所述第一预设间距；发射层，形成于所述第二半导体层的顶面的上方；所述发射层所涂覆的掺杂物为n型掺杂物；发射极，形成于所述发射层的顶面的上方，与所述发射层接触；场截止层，形成于所述第一半导体层的底面的下方；所述场截止层所涂覆的掺杂物为n型掺杂物；集电层，形成于所述场截止层的底面的下方；所述集电层所涂覆的掺杂物为p型掺杂物；集电极，形成于所述集电层的底面的下方；第一势垒层，设于所述电荷蓄积层的底面的下方，且位于所述发射层的一端的下方，用于阻碍来自所述发射层的电子流向所述集电极；第二势垒层，设于所述电荷蓄积层的底面的下方，且位于所述发射层的另一端的下方，用于阻碍来自所述发射层的电子流向所述集电极；所述第二势垒层与所述第一势垒层的相邻侧之间留有第二预设间距，以形成电子流动通道；所述第一势垒层和所述第二势垒层所涂覆的掺杂物为p型掺杂物；第一阴极层，形成于所述第一势垒层的底面的下方，且位于所述场截止层的底面与所述集电极的顶面之间，用于收集来自所述发射层的电子；第二阴极层，形成于所述第二势垒层的底面的下方，且位于所述场截止层的底面与所述集电极的顶面之间，用于收集来自所述发射层的电子；所述第一阴极层和所述第二阴极层所涂覆的掺杂物为n型掺杂物；所述第二阴极层与所述第一阴极层的相邻侧之间留有第三预设间距，且所述第三预设间距大于所述第二预设间距；设定所述第二预设间距为W1，所述第三预设间距为S1，d1＝S1-W12；所述第一阴极层的宽度小于所述第一势垒层的宽度，所述第一势垒层的宽度与所述第一阴极层的宽度差值为d1；所述第二阴极层的宽度小于所述第二势垒层的宽度，所述第二势垒层的宽度与所述第二阴极层的宽度差值也为d1；由所述发射层注入的电子流向所述第一势垒层和所述第二势垒层，并流经所述第一势垒层和所述第二势垒层之间的所述电子流动通道，在横渡一定的宽度d1后，进而流入所述第一阴极层和所述第二阴极层。

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