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申请/专利权人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
申请日：2024-05-08
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299259A
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请提出一种晶圆图形化工艺，包括：将中子掩膜板置于晶圆的表面；产生中子流射向中子掩膜板；关闭中子流，移除中子掩膜板；去除第一部分以及与第一部分对应的晶圆；去除第二部分。本申请的晶圆图形化工艺，利用中子流穿过中子掩膜板的间隙对晶圆表面的含硼涂层进行选择性轰击，使被轰击的含硼涂层第一部分发生质变，从而能使第一部分以及与第一部分对应的部分晶圆被去除，进而完成图形化。本申请的晶圆图形化工艺无需极紫外光，也就没有EUV光刻工艺中由于光线反射过程造成的能量损耗，因而能量利用率更高。本申请的晶圆图形化工艺无需昂贵、限制较多的EUV光源，无需超高精度加工的光路系统，因此有利于节约成本，且适用范围更广。
主权项：1.一种晶圆图形化工艺，其特征在于，包括：将中子掩膜板置于晶圆的表面；其中，所述中子掩膜板包括基材层和位于所述基材层的表面的中子吸收层，所述中子吸收层具有间隙，所述基材层靠近所述中子吸收层的部分表面从所述间隙中露出；所述晶圆的表面设有含硼涂层，所述基材层与所述含硼涂层贴合；产生中子流射向所述中子掩膜板，所述中子流通过所述间隙穿过所述基材层，轰击所述含硼涂层，使所述含硼涂层划分为被所述中子流轰击的第一部分和未被所述中子流轰击的第二部分；关闭所述中子流，并移除所述中子掩膜板；去除所述第一部分以及与所述第一部分对应的晶圆；去除所述第二部分，完成图形化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 晶圆图形化工艺
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