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图形化直显布光的光刻掩膜版、制备方法及成像装置 

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申请/专利权人:美可隆半导体(苏州)有限公司

摘要:本发明公开了一种图形化直显布光的光刻掩膜版,包括掩膜版基板,所述掩膜版基板上设置有图形显示层和显示控制层,所述图形显示层包括阵列设置的MicroUVLED芯片,所述MicroUVLED芯片组成显示屏;所述显示控制层包括与各个MicroUVLED芯片连接的控制电路,所述控制电路用于控制每一个MicroUVLED芯片的通断,以使得图形显示层形成不同的掩膜图案光路。该光刻掩膜版设置MicroUVLED芯片阵列,通过MicroUVLED芯片阵列直接显示掩膜图形,该掩膜版本身就是一个UV发光光源,不存在光学衍射效应,避免了传统掩膜版在线宽变小的情况下引起的光学衍射现象。

主权项:1.一种图形化直显布光的光刻掩膜版,包括掩膜版基板,其特征在于,所述掩膜版基板上设置有图形显示层和显示控制层,所述图形显示层包括阵列设置的MicroUVLED芯片,所述MicroUVLED芯片组成显示屏;所述显示控制层包括与各个MicroUVLED芯片连接的控制电路,所述控制电路用于控制每一个MicroUVLED芯片的通断,以使得图形显示层形成不同的掩膜图案光路,所述显示控制层包括在掩膜版基板的第二表面设置的第一绝缘层,所述掩膜版基板的第一表面设置有UV光限制层,所述第一绝缘层的上表面设置有负电极电路层,所述负电极电路层的上表面设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层的上表面设置有正电极电路层,所述第二绝缘层上开设有负电极焊接窗口,所述MicroUVLED芯片的负电极通过负电极焊接窗口与负电极电路层连接,所述MicroUVLED芯片的正电极与正电极电路层连接;所述MicroUVLED芯片的上方设置有保护层,所述保护层的材质为石英或蓝宝石晶体,所述保护层的表面还设置有防眩光光子晶体纳米结构层。

全文数据:

权利要求:

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