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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种缺陷晶圆图和良率晶圆图的叠图方法，包括：找出缺陷晶圆图中外围芯片所围成的第一内接正方形。找出良率晶圆图中外围芯片所围成的第二内接正方形。计算第一内接正方形和第二内接正方形的坐标关系。利用坐标关系进行坐标转化和叠图运算。本发明能在随机坐标下实现自动叠图，从而能提高叠图效率并有利于实现批量分析，还能防止人工错误。
主权项：1.一种缺陷晶圆图和良率晶圆图的叠图方法，其特征在于，包括：找出缺陷晶圆图中外围芯片所围成的第一内接正方形；找出良率晶圆图中外围芯片所围成的第二内接正方形；计算所述第一内接正方形和所述第二内接正方形的坐标关系；利用所述坐标关系进行坐标转化和叠图运算。
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