申请/专利权人:联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日:2023-01-04
公开(公告)日:2024-07-05
公开(公告)号:CN118299406A
主分类号:H01L29/423
分类号:H01L29/423;H01L29/49;H01L29/40
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要:本发明公开一种半导体元件及其制作方法,包括基底、栅极结构以及介电层。栅极结构设置在基底上并包括倒梯型形状。介电层设置在基底上,且栅极结构设置在介电层内。其中,栅极结构包括金属栅极结构或多晶硅栅极结构。
主权项:1.一种半导体元件,其特征在于,包括:基底;金属栅极结构,设置在该基底上,该金属栅极结构包括倒梯形形状;以及介电层,设置在该基底上,其中该金属栅极结构设置在该介电层内。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 半导体元件及其制作方法
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