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申请/专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日：2023-01-04
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299400A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/423;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.05#公开
摘要：本申请实施例提供了一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法，该氮化镓器件包括：外延基片，外延基片包括自下向上连接的衬底层、成核层、缓冲层、组合层，组合层为至少两层，每层组合层包括自下向上连接的沟道层与势垒层，最上层的势垒层上设置有栅电极、源电极及漏电极；栅电极的下方具有周期分布且相互间隔的不同深度的栅极凹槽，栅极凹槽内填充有栅极金属，栅极金属用于部分耗尽栅极凹槽对应的组合层内势垒层与沟道层的连接面的二维电子气，可以解决相关技术中从调制器件栅下的载流子速场关系、栅源电容入手提升器件线性度特征，引入寄生电容限制频率特性、实现难度大、高，难以大批量应用的问题，引入寄生小、实现难度小、易于大规模应用。
主权项：1.一种氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓器件包括：外延基片，所述外延基片包括自下向上连接的衬底层、成核层、缓冲层、组合层，其中，所述组合层为至少两层，每层组合层包括自下向上连接的沟道层与势垒层，最上层的所述势垒层上设置有栅电极、源电极及漏电极；所述栅电极的下方具有周期分布且相互间隔的不同深度的栅极凹槽，其中，所述栅极凹槽内填充有栅极金属，所述栅极金属用于部分耗尽所述栅极凹槽对应的所述组合层内所述势垒层与所述沟道层的连接面的二维电子气。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中兴通讯股份有限公司 一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法
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