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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长方法，包括加料、抽气、通CO、降温、冷却，即可制备砷化镓单晶晶棒。通过向熔融的砷化镓中通入CO，提高CO和砷化镓的接触面积，提高渗碳效果，从而提高砷化镓单晶的电学均匀性，并且本发明提供的制备工艺简单，制得的砷化镓单晶晶棒发生位错的可能性小，成品率高，成品质量好。此外，本发明还提供了一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长装置，通过设置阶梯式坩埚，一次生长即可制备多种不同直径的单晶，并且可根据需求设置多级生长区的内径，简化生产工艺、提高生产效率、提高成品率有利于推广和市场化。
主权项：1.一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将砷化镓籽晶放置于籽晶区，氧化硼放置于籽晶上方，加入砷化镓多晶料；步骤2，抽出石英管中的气体，加热石英管，向熔融状态的砷化镓中通入CO；步骤3，降温，通过垂直梯度冷凝法使砷化镓固液界面从底部向上移动；步骤4，冷却，即可制得砷化镓单晶晶棒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长方法、装置
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