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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种氮化镓半导体激光器；该氮化镓半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波层，有源层、上波导层、上包覆层，所述上波导层包括第一抑制折射率色散上波导层和第二抑制折射率色散上波导层；该氮化镓半导体激光器，可以抑制激光器出射面的色散，提升水平扩展角，实现低纵横比的FFP远场图像，抑制光泄漏，并形成较大的有效折射率差，实现高扭结水平，降低功率消耗，延缓器件的老化速度，提高使用寿命，从而控制光的传输特性和改善器件性能。
主权项：1.一种氮化镓半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波层，有源层、上波导层、上包覆层，其特征在于，所述上波导层包括第一抑制折射率色散上波导层和第二抑制折射率色散上波导层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种氮化镓半导体激光器
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