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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明提供了一种立体氮化镓基CMOS反相器及其制备方法，CMOS反相器包括：立体衬底、在立体衬底的外表面间隔设置的若干器件、覆盖器件和立体衬底暴露的表面的互联介质层；互联介质层内部以及外部固定有若干互联金属；器件包括间隔设置的NMOS器件和PMOS器件，一互联金属电性连接NMOS器件的栅极与PMOS器件的栅极，且引出至互联介质层外；NMOS器件的源极通过一互联金属引出至互联介质层外；NMOS器件的漏极与PMOS器件的漏极电性连接。本发明中的CMOS反相器解放了CMOS反相器的热限制，通过立体衬底上间隔设置若干器件，形成了集成度高、功率密度大、电流密度大以及支持更高频率的CMOS反相器，使CMOS反相器的应用范围更广。
主权项：1.立体氮化镓基CMOS反相器，其特征在于，包括：立体衬底、在所述立体衬底的外表面间隔设置的若干器件、覆盖所述器件和所述立体衬底暴露的表面的互联介质层；所述互联介质层内部以及外部固定有若干互联金属；所述器件包括间隔设置的NMOS器件和PMOS器件，一所述互联金属电性连接所述NMOS器件的栅极与所述PMOS器件的栅极，且引出至所述互联介质层外；所述NMOS器件的源极通过一所述互联金属引出至所述互联介质层外；所述PMOS器件的源极通过一所述互联金属引出至所述互联介质层外；所述NMOS器件的漏极与所述PMOS器件的漏极电性连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 立体氮化镓基COMS反相器及其制备方法
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