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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种砷化镓单晶的生长装置，包括阶梯式坩埚、石英管、石英帽，所述阶梯式坩埚放置于所述石英管中，所述石英帽固定连接于所述石英管上；所述阶梯式坩埚包括籽晶区和多级生长区，所述籽晶区位于所述生长区的下方，多级所述生长区的内径由上至下依次变小。通过设置阶梯式坩埚，一次生长即可制备多种不同内径的单晶，并且可根据需求设置多级生长区的内径，简化生产工艺、提高生产效率，有利于推广和市场化，此外，本发明还公开了一种砷化镓单晶的生长方法，使用上述生长装置制备砷化镓单晶。
主权项：1.一种砷化镓单晶的生长装置，其特征在于，包括阶梯式坩埚1、石英管2、石英帽3，所述阶梯式坩埚1放置于所述石英管2中，所述石英帽3固定连接于所述石英管2上；所述阶梯式坩埚1包括籽晶区101和多级生长区102，所述籽晶区101位于所述生长区102的下方，多级所述生长区102的内径由上至下依次变小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种砷化镓单晶的生长装置及生长方法
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