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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种半绝缘砷化镓单晶的生长方法，通过垂直梯度冷凝法制备半绝缘砷化镓单晶，在制备过程中，向石英管内通入CO作为碳源掺杂C元素，取代传统的碳帽作为掺杂物，气体碳源可以使碳元素更均匀分布在液态砷化镓中，同时可以精准控制CO的用量，以确保半绝缘砷化镓的电性能稳定性。此外，本发明还公开了上述生长方法制得的半绝缘砷化镓单晶和半绝缘砷化镓单晶的生长装置。
主权项：1.一种半绝缘砷化镓单晶的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将第一坩埚放置于石英管的上部，将第二坩埚放置于石英管的下部；步骤2，将砷化镓籽晶放入第二坩埚中，将砷化镓多晶装入第一坩埚中；步骤3，置换石英管内的气体为惰性气体，然后加热熔化所述砷化镓多晶，并向石英管内通入CO，熔化后的砷化镓多晶熔体通过第二坩埚底部的通孔流入第二坩埚中；步骤4，降温，通过垂直梯度冷凝法使砷化镓固液界面由下至上移动，即可制得半绝缘砷化镓单晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种半绝缘砷化镓单晶及其生长方法、装置
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