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具有中介层的堆叠结构 

申请/专利权人:美商艾德亚半导体科技有限责任公司

申请日:2022-08-29

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118302858A

主分类号:H01L23/538

分类号:H01L23/538;H01L23/00;H01L25/065;H01L25/00;H10B80/00

优先权:["20210901 US 63/239,783"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.07.05#公开

摘要:公开了具有粘附到封装衬底的中介层的堆叠结构。在一个示例中,堆叠结构可以包括层压衬底。该堆叠结构还可以包括中介层,该中介层例如通过非导电粘合层在没有焊料的情况下安装在该层压衬底上。多个导电过孔可以延伸穿过该中介层,并且穿过该非导电粘合层如果存在的话,并且连接到该层压衬底。该堆叠结构还可以包括与该中介层相邻的再分布层RDL。该RDL可以被配置为电连接到电子器件。还公开了用于形成此类堆叠结构的方法。

主权项:1.一种堆叠结构,包括:层压衬底;中介层,由粘合层安装在所述层压衬底上,多个导电过孔延伸穿过所述中介层和所述非导电粘合层并且连接到所述层压衬底;以及再分布层RDL,与所述中介层相邻。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 美商艾德亚半导体科技有限责任公司 具有中介层的堆叠结构

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