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申请/专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
摘要：本公开涉及具有防护结构的半导体装置。公开了半导体装置和具有半导体装置的电子电路。半导体装置包括：半导体本体，具有第一掺杂类型的第一区域、第一掺杂类型的第二区域和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的第三区域；以及布置在第一区域和第二区域之间的第三区域中的防护结构。第一区域和第二区域在半导体本体的横向方向上彼此间隔开，并且第三区域布置在第一区域和第二区域之间。防护结构包括在第一横向方向上彼此相邻布置的第一防护区域和第二防护区域，其中第一防护区域包括第二掺杂类型的掺杂区域，并且其中第二防护区域包括第一掺杂类型的掺杂区域。
主权项：1.一种半导体装置，包括：半导体本体100，包括第一掺杂类型的第一区域1、所述第一掺杂类型的第二区域2和与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的第三区域3；以及布置在所述第一区域1和所述第二区域2之间的所述第三区域3中的防护结构4，其中，所述第一区域1和所述第二区域2在所述半导体本体100的横向方向x上彼此间隔开，以及其中，所述第三区域3布置在所述第一区域1和所述第二区域2之间，其中，所述防护结构4包括在第一横向方向x上彼此相邻布置的第一防护区域5和第二防护区域6，其中，所述第一防护区域5包括所述第二掺杂类型的掺杂区域51，以及其中，所述第二防护区域6包括所述第一掺杂类型的掺杂区域61。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技德累斯顿公司 具有防护结构的半导体装置
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